IBM 和三星的新芯片设计可以使手机的电池寿命延长一周 IBM 和三星 宣布 了他们在半导体设计方面的最新进展：一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新方法 VTFET。这种新的设计是可以让芯片比现在更密集地堆积晶体管。虽然我们离 VTFET 设计在实际消费芯片中的应用还有一段距离，但 IBM 和三星声称，VTFET 技术可以提升两倍的性能或降低 85% 的能源使用，使得手机电池可以超过一周不充电，或减少加